Третья российская школа-семинар IEEE по фундаментальным проблемам микро- и наносистемной техники проводится в Новосибирском Государственном Техническом Университете 1−4 декабря 2011 г.
Целью проведения является обеспечение возможности для наиболее быстрого и эффективного знакомства молодых специалистов с современными достижениями ведущих научных школ России и зарубежных стран.
Подробное описание секций:
- Секция 1. Круг вопросов секции включает: физические свойства металлов, полупроводников, диэлектриков (в т.ч. структур с пониженной размерностью: углеродных и кремниевых наноструктур, квантовых ям, квантовых проволок и точек), а также органических материалов, применяемых в наноэлектронике; исследование физических явлений, имеющих место в кремниевых микро- и наноструктурах; идеи и возможности применения микро- и наноструктур для нужд человека.
- Секция 2. На секции будут рассмотрены вопросы, связанные с компьютерным моделированием приборов и систем, построенных на основе микро- и наноструктур (сенсоров, активаторов и микро- наносистем), в т.ч.: идеи и решения для технологического проектирования электронных приборов в среде Sentaurus TCAD, топологического проектирования в среде LEDIT, электрофизического проектирования в среде ANSYS и подобных ей, схемотехнического проектирования в средах Cadence и LabVIEW, а также проектирование в среде комплексного сквозного проектирования MEMS Pro и подобных ей.
- Секция 3. На секции будут рассмотрены вопросы оптимизации процессов изготовления микро- и наноустройств посредством ипринт-технологий, 3D-профилирования, BDRIE-технологий, анодного бондинга, электронно-лучевой литографии, МЛЭ и других, применяемых для этой цели; кроме того, будут рассмотрены различные технологии характеризации микро- и наноустройств.
- Секция 4. На секции будут представлены современные достижения и тенденции развития микро- и наносистемной техники и возможности ее применения для создания современных электронных приборов и систем.
Последний срок подачи заявки – 31 октября 2011 г.
