Приглашаем Вас принять участие в работе IV Всероссийской конференции «Физические и физико-химические основы ионной имплантации» (с участием иностранных учёных), которая состоится с 23 по 26 октября 2012 года в Доме ученых СО РАН Новосибирского Академгородка.
На предстоящей конференции предполагается рассмотреть доклады и сообщения по следующим основным направлениям:
- Общие физические и физико-химические проблемы ионной имплантации и радиационной физики твердого тела.
- Физические проблемы ионной имплантации в полупроводники.
- Физические проблемы ионной имплантации в неполупроводниковые материалы.
- Ионно-лучевое формирование наноструктур, объектов спинтроники и их свойства.
- Физические явления дальнодействия при ионном облучении и смежные вопросы.
- Физические проблемы технологии ионной имплантации и сфокусированных ионных пучков.
В период проведения конференции будет организована школа молодых ученых и специалистов.
Срок представления тезисов — 1 мая 2012 г.
